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  1. Samsung ha comunicado en el día de hoy el inicio de fabricación en masa para la 2ª Generación de chips de memoria HBM2. Esta nueva generación llega en forma de unos stacks (pilas) de memoria HBM2 (High Bandwidth Memory 2) de 8GB de densidad con las velocidades de transmisión más rápidas del mercado (2.4 Gbps por pin), lo que ayudará a acelerar el rendimiento de las supercomputadoras y tarjetas gráficas basadas en dicha memoria. Estos nuevos chips de memoria HBM2 de 8GB de Samsung ofrecen una velocidad de 2.4Gbps por pin requiriendo un voltaje de 1.2v, realizando una mejora del rendimiento en casi un 50% con respecto a la 1ª Generación de esta memoria que también llegaba a 8 GB pero a una velocidad de 1.6 Gbps a 1.2v (los modelos más avanzados corren a 2.0 Gbps con un consumo de 1.35v). Para hacer esto posible se ha usado la tecnología TSV (Through Silicon Via) para hacer más de 5000 conexiones por die, algo que no ha sido nada fácil de conseguir de forma exitosa en un empaquetado tan pequeño y que demuestra el liderazgo de Samsung. Samsung aumentó la cantidad de espacios térmicos entre las matrices HBM2, lo que permite un control térmico más fuerte en cada paquete. Además esta nueva memoria HBM2 incluye una capa protectora adicional en la parte inferior, que aumenta la resistencia física en general del paquete. De esta forma se hace posible una nueva generación de tarjetas gráficas con un ancho de banda de memoria de hasta 1,2 TB/s, lo que permitirá aumentar sus capacidades en gran medida. Por ahora no se espera que las tarjetas destinadas al gaming hagan uso de esta nueva tecnología, para ellas está esperando la GDDR6.
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