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  1. Hace unos días la empresa G-SKILL presento sus nuevos kits de memorias Trident Z RGB de 32gb y 64gb respectivamente, aprovechando la nueva tecnologia de DIMM de Doble Capacidad desarrollado en forma conjunta con ASUS para el lanzamiento de sus nueva serie de Motherboards Z390. En la actualidad se contaba con 16 ICs DRAM por modulo como máxima cantidad en cada UDIMM. Gracias al trabajo en conjunto entre G-SKILL y ASUS ROG para el desarrollo de un nuevo PCB para memorias con doble capacidad por módulos con 32 ICs. De esta manera se logra incrementar la densidad y obtener una memoria de 32gb (en lugar de 2x16gb) pero aumenten levemente el alto de cada modulo (con respecto a los tradicionales de Trident Z RGB), para poder distribuir correctamente el aumento de módulos DRAM en el PBC. Estas memorias son compatibles únicamente con las nuevas moteherboard que utilicen ranuras DIMM.2; estas se encuentran en las nuevas placas Intel Z390 (ROG Z390 MAXIMUS XI APEX, ROG Maximus XI Gene, y ROG STRIX Z390-I GAMING). Cabe destacar que para estas nuevas memorias también se ha estrenado un nuevo sistema de refrigeración TridentZ, en donde el disipador de aluminio es mas grande para poder disipar exitosa mente los 32 chips de memoria DRAM Samsung B-die que se encuentran soldados al PCB y con su ya tradicional iluminación LED RGB personalizable.
  2. Samsung ha comunicado en el día de hoy el inicio de fabricación en masa para la 2ª Generación de chips de memoria HBM2. Esta nueva generación llega en forma de unos stacks (pilas) de memoria HBM2 (High Bandwidth Memory 2) de 8GB de densidad con las velocidades de transmisión más rápidas del mercado (2.4 Gbps por pin), lo que ayudará a acelerar el rendimiento de las supercomputadoras y tarjetas gráficas basadas en dicha memoria. Estos nuevos chips de memoria HBM2 de 8GB de Samsung ofrecen una velocidad de 2.4Gbps por pin requiriendo un voltaje de 1.2v, realizando una mejora del rendimiento en casi un 50% con respecto a la 1ª Generación de esta memoria que también llegaba a 8 GB pero a una velocidad de 1.6 Gbps a 1.2v (los modelos más avanzados corren a 2.0 Gbps con un consumo de 1.35v). Para hacer esto posible se ha usado la tecnología TSV (Through Silicon Via) para hacer más de 5000 conexiones por die, algo que no ha sido nada fácil de conseguir de forma exitosa en un empaquetado tan pequeño y que demuestra el liderazgo de Samsung. Samsung aumentó la cantidad de espacios térmicos entre las matrices HBM2, lo que permite un control térmico más fuerte en cada paquete. Además esta nueva memoria HBM2 incluye una capa protectora adicional en la parte inferior, que aumenta la resistencia física en general del paquete. De esta forma se hace posible una nueva generación de tarjetas gráficas con un ancho de banda de memoria de hasta 1,2 TB/s, lo que permitirá aumentar sus capacidades en gran medida. Por ahora no se espera que las tarjetas destinadas al gaming hagan uso de esta nueva tecnología, para ellas está esperando la GDDR6.
  3. En el día de ayer Samsung comunicaba que tras un corte de energía de 30 minutos en sus instalaciones Pyeongtaek (donde se fabrican memorias NAND Flash), han debido desechar una cantidad de nadas mas y nada menos que 60.000 obleas de silicio (materia prima para la NAND Flash). Estas instalaciones funcionan con hardware de última generación, creando circuitos que son demasiado pequeños para ser vistos, haciendo que cualquier forma de interrupción sea potencialmente dañina. Hay una razón por la cual estas instalaciones requieren salas limpias. Según lo que indico Samsung, esta perdida rondaría alrededor del 11% de su producción de flash NAND mensual (alrededor del 3,5%) de la producción mundial de NAND, lo que no es una buena noticia para el ya escaso mercado de memoria NAND. ¿Porque cuando se rumorea una posible bajada de precio, sucede algo (inundaciones, incendios y/o cortes de electricidad) en las fabricas? Hace unos meses se anunciaba una investigación de Samsung y otros fabricantes por pactar precios de estos chips de memorias de pactar la producción. Todas estas empresas anuncian un aumento de producción en obleas, sin llegar a superar,o incluso igualar la demanda del mercado actual de las mismas y quedándose justo por debajo de la demanda para seguir manteniendo los altos precios. Sin mencionar que ahora se suma un nuevo daño que ayudará a que los precios vuelvan a subir sin que nadie sospechara de ello. Este supuesto accidente llega justo cuando el precio de la memoria NAND Flash se estaba estabilizando y estábamos viendo como los SSD estaban presentando precios más accesibles (aumentando posiblemente sus precios para los proximos meses). Lo más curioso de todo es que en sólo 30 minutos de corte energético se haya dañado el 11% de la producción mensual y que entendemos que la fábrica solo la ponen en funcionamiento 4,5 horas al mes y realmente es algo muy poco creible.
  4. El fabricante de dispositivos de almacenamiento sólido Samsung acaba de anunciar la esperada llegada de la nueva serie de SSDs al mercado en la forma de la nueva serie 860 EVO y PRO. Esta serie sustituye a los hasta ahora intocables SSDs de la serie 850 que se han mantenido como los reyes en las ventas del mercado durante años. La serie 850 de SSDs de Samsung, tanto en sus versiones EVO como PRO han pasado por diversas iteraciones desde su lanzamiento al mercado hace más de tres años. Lo primero que cambió fue un nuevo controlador de memoria con soporte para RAM de tipo LPDDR3 para poder manejar con soltura las unidades con una capacidad de almacenamiento de 2 TB. Más adelante, a mediados de 2016, Samsung renovó toda esta serie de SSDs con la inclusión de sus chips de memoria 3D NAND de 48 capas que, aunque no hubo un cambio sustancial en el rendimiento, sí permitió doblar la capacidad de almacenamiento de cada unidad, de manera que se retiraron las unidades de 120 / 128 GB (quedando las de 250 GB como opción de menor capacidad) y sacó al mercado el primer modelo de 4 TB. Concretamente, el 850 EVO 4 TB. LOS NUEVOS SSDS DE LA SERIE 860 EVO Y PRO EMPLEAN MEMORIA 3D MLC V-NAND DE 64 CAPAS Las nuevas unidades de estado sólido de la serie 860 EVO y PRO emplearán un nuevo controlador de memoria que, en esta ocasión, funcionará con RAM de tipo LPDDR4. Esta vez, Samsung sí lanzará una versión PRO de esta serie con 4 TB de capacidad de almacenamiento (para la serie 850 nunca llegaron a lanzarla, solo la versión EVO). En ambos casos, Samsung ha optado por emplear su poderosa memoria 3D MLC V-NAND de 64 capas, de manera que pueden ahorrar en el número de chips de memoria que montan en cada unidad. En cuanto a el rendimiento, se podría decir que ambas series (la EVO y la PRO) están ya al borde de lo que admite el estándar SATA 3. En ambos casos, la velocidad máxima de lectura secuencial es de 560 MB/s, mientras que en la escritura secuencial, la versión EVO tiene 520 MB/s mientras que la versión Pro tiene 530 MB/s. La lectura aleatoria 4K es de 100K IOPS mientras que la escritura aleatoria 4K es de 90K IOPS en ambos casos. Lo que no me acaba de gustar es que la garantía de la serie Pro, que antes era de 10 años, se ha visto reducida a 5 años… Igual que la de la serie EVO. Fuente: https://hardzone.es/2018/01/23/samsung-responde-la-competencia-los-ssd-860-evo-pro/
  5. Pese al reciente estreno de las memorias GDDR5X con su estreno con la GeForce GTX 1080 de Nvidia y la memoria HBM2 aún no ha sido presentada en el segmento gaming, teniendo que esperar a las gráficas AMD VEGA (probablemente en octubre) ya tenemos los primeros detalles de las tecnologías que le darán el relevo próximamente. GDDR6: La memoria GDDR6 estaría ya siendo desarrollada por Micron y Samsung esperando que llegue en algún momento del 2018 como una solución de bajo coste. Si en la actualidad la memoria GDDR5X es capaz de ofrecer un ancho de banda actual de 10Gbps, esperando que en su etapa más madura sea capaz de alcanzar los 12-15Gbps, la memoria GDDR6 partirá en los 14Gbps consumiendo casi un 20 por ciento menos de energía por el camino. Por desgracia, no tenemos más información y es normal quedando aún 1 año y medio por delante. HBM3: La nueva generación de memoria de muy alto rendimiento estará disponible entre el año 2019/2020 y ya tanto SK Hynix como Samsung están tras su desarrollo. Se espera que el primer fabricante que haga uso de esta memoria en sus tarjetas gráficas sea AMD bajo su arquitectura Navi, aunque si la tecnología está aún demasiado verde se espera que no suceda lo que pasó con las Radeon Fury (HBM) y puedan optar por seguir usando la memoria HBM2 junto a la GDDR6. Esta memoria promete ofrecer el doble de la densidad que encontraremos en la memoria HBM2, y no solo eso, sino duplicar el ancho de banda consumiendo menos energía. Por desgracia, aún tendremos que seguir esperando para conocer nuevos detalles.
  6. En el día de ayer el gigante coreano Samsung anunciaba las primeras tarjetas de memoria UFS (Universal Flash Storage) del mundo. Estas nuevas tarjetas de memoria externas contarán con capacidades de 32, 64, 128 o 256 gigabytes. De aspecto muy parecido a las tarjetas microSD, las UFS además de una gran capacidad de almacenamiento también ofrecerán una velocidad de lectura y un rendimiento muy superior a lo visto hasta ahora. Estas tienen una velocidad de lectura secuencial de hasta 530 megabytes por segundo, es decir, son unas cinco veces más rápidas que la mejor de las tarjetas microSD actuales. Según la propia Samsung, son capaces de leer una película Full HD de 5GB en apenas 10 segundos, en comparación con los 50 segundos que tardaría en hacer lo mismo una tarjeta microSD UHS-1. La velocidad de escritura también cuenta con una notable mejora, con hasta 170 MB/s. Con ello prácticamente se dobla el rendimiento de las microSD más rápidas existentes actualmente, y si hablamos de tarjetas no profesionales, las UFS resultan hasta siete o ocho veces más rápidas que cualquiera de las más recomendadas. Samsung ha insistido en la necesidad de trabajar en tarjetas de memoria potentes para poder cubrir y dar soporte a la cantidad de imágenes y material en alta resolución que cada día se genera, tanto desde dispositivos tipo smartphones como desde cámaras o drones. Sin embargo, aunque el nuevo estándar UFS ya ha aparecido como memoria integrada en algunos dispositivos, por el momento no hay productos que soporten todavía este tipo de tarjetas externas de almacenamiento. Aunque el diseño de las nuevas tarjetas es muy similar a las anteriores, hay que destacar que en la parte de atrás la distribución de los pines es completamente distinta. Respecto a su futura disponiblidad y precios, la compañía todavía no se ha pronunciado al respecto.
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